Samsung представляет модули памяти DDR5 емкостью 512 ГБ
Компания Samsung объявила об успешной разработке первого в отрасли модуля оперативной памяти DDR5 объемом 512 ГБ. Этот модуль будет использоваться для интенсивных рабочих нагрузок, таких как AI / ML, exascale hyper-computing, аналитика, сети.
Эти модули DDR5 основаны на технологическом узле HKMG или High-K Metal Gate, что позволяет им снизить энергопотребление на 13% и уменьшить утечки мощности. Samsung будет использовать тот же узел для модулей GDDR6 VRAM.
Что касается спецификаций, этот модуль DDR5 объемом 512 ГБ предлагает вдвое большую производительность по сравнению с модулями DDR4 и достигает скорости до 7200 Мбит / с. Он имеет в общей сложности 40 микросхем DRAM, каждый из которых состоит из восьми слоев модулей DRAM по 16 Гбайт, соединенных вместе и соединенных с TSV (сквозным кремнием).
В настоящее время Samsung только тестирует свои различные варианты модулей DDR5, и они не назвали дату запуска. Хорошей новостью является то, что мы можем ожидать, что они появятся в ближайшее время, поскольку платформы памяти DDR5 от Intel и AMD будут готовы поступить в розничные магазины.
